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专利号:200810090577
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半导体制造装置以及半导体器件的制造方法

半导体制造装置(1)包括腔室(2),气体供给装置(3),真空泵(5),电极(6),导电编织丝网(21)和射频电源(18)。电极6被安置在腔室之外并固定到该腔室。气体供给装置将气体提供到腔室中。真空泵对腔室进行排气。射频电源经由导电编织丝网向电极提供射频能量。

半导体制造装置以及半导体器件的制造方法

一种半导体制造装置包括:    腔室;    气体供给装置,被配置为将气体提供到所述腔室中;    真空泵,被配置为对所述腔室进行排气;    电极,被配置在所述腔室之外且被固定到所述腔室;    导电编织丝网;以及    射频电源,被配置为通过所述导电编织丝网向所述电极提供射频能量。
 


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专利号: 200810090577
申请日: 2008年4月3日
公开/公告日: 2008年10月8日
授权公告日:
申请人/专利权人: 恩益禧电子股份有限公司
国家/省市: 日本(JP)
邮编:
发明/设计人: 竹原圭一郎
代理人: 关兆辉 孙志湧
专利代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司(11219)
专利代理机构地址: 北京市朝阳区建国路99号中服大厦1300室(100020)
专利类型: 发明
公开号: 101281860
公告日:
授权日:
公告号: 000000000
优先权: 日本2007年4月4日2007-098102
审批历史:
附图数: 5
页数: 8
权利要求项数: 1
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